可控硅模塊

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可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。收起

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  • 低壓無功補(bǔ)償投切開關(guān)選用標(biāo)準(zhǔn)
    選擇低壓無功補(bǔ)償投切開關(guān)時(shí),需要考慮以下標(biāo)準(zhǔn),以確保其適合具體的應(yīng)用場景,并能穩(wěn)定運(yùn)行: 1、負(fù)載類型 感性負(fù)載(如電動(dòng)機(jī)):需要考慮開關(guān)在投切過程中,能否承受感性負(fù)載產(chǎn)生的較大涌流。 諧波含量較高的負(fù)載:如果系統(tǒng)中存在較高的諧波,選擇的開關(guān)應(yīng)具有抗諧波能力,避免在投切時(shí)受到諧波干擾。 ? 2、開關(guān)類型 接觸器:傳統(tǒng)機(jī)械式接觸器適用于一般場合,但在高頻投切中容易產(chǎn)生電弧,影響使用壽命。 晶閘管開關(guān)
    低壓無功補(bǔ)償投切開關(guān)選用標(biāo)準(zhǔn)
  • 開關(guān)上下電壓不同的原因
    開關(guān)上下電壓不同,通常是由于以下幾個(gè)原因引起的: 1、開關(guān)接觸不良 開關(guān)內(nèi)部的接觸點(diǎn)可能出現(xiàn)氧化、磨損或松動(dòng),導(dǎo)致接觸電阻增大。當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),電流通過接觸點(diǎn)的電壓降變大,使得開關(guān)上下兩端的電壓不一致。 ? 2、開關(guān)內(nèi)置的電弧效應(yīng) 在開關(guān)操作過程中,特別是在切換高電壓或大電流時(shí),開關(guān)內(nèi)可能會(huì)產(chǎn)生電弧。電弧產(chǎn)生的電壓降會(huì)導(dǎo)致開關(guān)兩端的電壓不同。電弧效應(yīng)也可能損壞開關(guān),導(dǎo)致接觸不良。 ? 3、電源問題

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