寬禁帶半導體

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  • 【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
    在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。 香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發(fā)展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。 黃文海教
    【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
  • 是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試
    是德科技（NYSE: KEYS ）增強了其雙脈沖測試產(chǎn)品組合，使客戶能夠從寬禁帶（WBG）功率半導體裸芯片的動態(tài)特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實施新技術最大限度地減少了寄生效應，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個版本的雙脈沖測試儀兼容。 是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試 WBG功率半導體器件對于構建電動汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等應用的高效、穩(wěn)定的電力電子設備至關
    是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試
  • 寬禁帶半導體材料企業(yè)天岳先進申請赴港IPO
    2月25日，寬禁帶半導體材料企業(yè)天岳先進發(fā)布公告，正在進行申請境外公開發(fā)行股票（H 股）并在香港聯(lián)合交易所有限公司主板上市的相關工作。此次天岳先進申報港股IPO的募集資金，擬用于擴張8英寸或更大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)能、持續(xù)加強研發(fā)能力等。
    寬禁帶半導體材料企業(yè)天岳先進申請赴港IPO
  • SiC SBD的振蕩 Oscillation of SiC SBD
    讓我們開始今天的話題，寬禁帶半導體(這里主要就SiC展開)中普遍易于硅基的振蕩。
  • 寬禁帶半導體“漸入佳境”
    隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展，寬禁帶半導體材料對推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的進一步發(fā)展，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體需求逐漸攀升，寬禁帶半導體在技術推進、產(chǎn)品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來了新的變化。
    寬禁帶半導體“漸入佳境”