X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級(jí),提升SPAD集成能力
全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,在其180納米XH018半導(dǎo)體工藝平臺(tái)中推出新的隔離等級(jí),旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管(SPAD)應(yīng)用。新隔離等級(jí)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子,從而減少芯片面積。 采用全新緊湊型25V隔離等級(jí)模塊ISOMOS1(左) 和先前所需的模塊ISOMOS2(右)