晶圓

• 硅不夠用了，接下來靠什么？

  不久前，武漢光谷迎來了一場重磅活動(dòng)——2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)。這場會(huì)議的意義遠(yuǎn)不止于展示與交流。在展會(huì)的背后，一個(gè)更為深遠(yuǎn)的趨勢正在浮現(xiàn)：化合物半導(dǎo)體正從實(shí)驗(yàn)室走向市場，成為推動(dòng)新一輪技術(shù)革命的核心力量。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  05/07 09:30

  碳化硅 晶圓

  
• 4年900億——英特爾代工打造全球供應(yīng)鏈韌性、實(shí)現(xiàn)18A關(guān)鍵技術(shù)布局

  2025英特爾代工大會(huì)（Intel Foundry Direct Connect）在美國加州圣何塞開幕。剛剛上任5周的英特爾公司首席執(zhí)行官陳立武在大會(huì)上發(fā)表開幕演講，強(qiáng)調(diào)英特爾正在推動(dòng)其代工戰(zhàn)略進(jìn)入下一階段，以及英特爾打造世界一流代工廠的愿景，體現(xiàn)了對代工業(yè)務(wù)的重視和信心。

  張慧娟

  1281

  05/01 00:32

  與非觀察 晶體管
• 這家IGBT企業(yè)營收達(dá)22億，增長120%

  據(jù)“揚(yáng)州日報(bào)”4月16日報(bào)道，過去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/17 14:31

  碳化硅 IGBT
• 國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片股，大漲！

  中美關(guān)稅博弈，是近日焦點(diǎn)事件。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2063

  04/14 11:58

  半導(dǎo)體 芯片

  
• 晶圓大廠Q1血虧100億！

  三星電子今年第一季度營業(yè)利潤突破

  芯片說 IC TIME

  751

  04/08 15:25

  存儲器 三星電子

  
• 國產(chǎn)芯片淘汰賽終局猜想

  在這場國產(chǎn)芯片創(chuàng)業(yè)淘汰賽中，很多人都在堅(jiān)持，很多人都在期待終局，又害怕終局。

  鐘林談芯

  1050

  04/07 16:23

  封裝 晶圓

  
• 近40個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目上榜，珠海2025重點(diǎn)項(xiàng)目清單公布

  近日，珠海市發(fā)展改革局發(fā)布2025年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃清單。共安排重點(diǎn)項(xiàng)目（含預(yù)備項(xiàng)目）466個(gè)，總投資約7600億元，其中建設(shè)項(xiàng)目399個(gè)，年度計(jì)劃投資488.67億元；續(xù)建項(xiàng)目193個(gè)，年度計(jì)劃投資315.88億元；新開工項(xiàng)目86個(gè)，年度計(jì)劃投資75.99億元。

  全球半導(dǎo)體觀察

  2068

  04/04 11:25

  半導(dǎo)體 封裝

  
• 三星電子Q1利潤將超250億！

  據(jù)金融信息公司

  芯片說 IC TIME

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  04/02 17:00

  半導(dǎo)體 三星電子

  
• 并購+技術(shù)破局，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商釋放積極信號

  在政策與市場需求雙重推動(dòng)之下，國內(nèi)半導(dǎo)體并購熱潮涌動(dòng)，設(shè)備廠商也沒有缺席。繼北方華創(chuàng)宣布入股芯源微之后，國內(nèi)半導(dǎo)體并購再次傳出新動(dòng)態(tài)，華海清科完成對芯崳公司收購，加速高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域布局。與此同時(shí)，復(fù)雜國際形勢影響下，半導(dǎo)體設(shè)備自主可控重要性不斷凸顯，除了并購之外，國內(nèi)廠商也積極提升技術(shù)，推出代表性產(chǎn)品，加速破局與突圍。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1226

  04/02 16:45

  半導(dǎo)體 晶圓

  
• 半導(dǎo)體涂層的作用

  學(xué)員問：設(shè)備上常見的涂層有哪些？各有哪些作用？什么是涂層？涂層，是涂敷在晶圓，設(shè)備/配件上的表面的薄層，厚度從納米到幾微米不等，用于改變原有材料的性質(zhì)，目的是為了保護(hù)、提升性能或?qū)崿F(xiàn)某種特定功能的作用。

  TOM聊芯片智造

  729

  03/31 15:30

  晶圓
• 值得一看，全球晶圓操作模組部件供應(yīng)商統(tǒng)計(jì)

  上周發(fā)布了一個(gè)運(yùn)動(dòng)平臺以及相關(guān)部件的數(shù)據(jù)，讀者反饋不錯(cuò)。所以今天繼續(xù)發(fā)一個(gè)晶圓操作相關(guān)模組部件的供應(yīng)商列表這個(gè)數(shù)據(jù)之前也有發(fā)布過，但最近一段時(shí)間又有不少更新，所以值得再發(fā)一次供大家參考。

  半導(dǎo)體綜研

  474

  03/24 15:20

  晶圓

  
• 尼得科3家集團(tuán)公司聯(lián)合參展2025年上海國際半導(dǎo)體展覽會(huì)（Semicon China）

  尼得科集團(tuán)旗下尼得科精密檢測設(shè)備（浙江）有限公司、尼得科鴻測電子（蘇州）有限公司以及尼得科儀器（上海）有限公司將聯(lián)合參展3月26日～28日于上海新國際博覽中心舉辦的2025年上海國際半導(dǎo)體展覽會(huì)（Semicon China）。 上海國際半導(dǎo)體展覽會(huì)（Semicon China）由中國電子商會(huì)、SEMI China主辦，覆蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測、設(shè)備、材料、光伏、顯示等全產(chǎn)業(yè)鏈，現(xiàn)已成為中國重要的半

  與非網(wǎng)編輯

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  03/12 14:11

  半導(dǎo)體 晶圓

  
• 青禾晶元發(fā)布全球首臺獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備

  中國半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司（簡稱“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首臺C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW。作為先進(jìn)半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)與解決方案的提供商，青禾晶元此次發(fā)布標(biāo)志著公司在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的又一重要突破。 青禾晶元新推出的混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW具備多尺寸晶圓兼容、超強(qiáng)芯片處理能力、兼容不同的對準(zhǔn)方式等優(yōu)勢，可以幫

  與非網(wǎng)編輯

  463

  03/12 07:19

  芯片 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  
• DeepSeek會(huì)沖擊晶圓需求嗎？

  生成式AI的影響將導(dǎo)致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日，世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因?yàn)?，中國初?chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當(dāng)?shù)拇笠?guī)模語言模型（LLM）DeepSeek-R1（以下簡稱R1）。R1的研發(fā)僅用了兩個(gè)月的時(shí)間，成本僅為560萬美元，僅為其他公司成本的一小部分。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2886

  02/18 09:45

  dram 晶圓

  
• 碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  一、引言隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附方案會(huì)對測量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。二、常見吸附方案概述在碳化硅襯底測量中，常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產(chǎn)生負(fù)壓將襯底固定，操作相對簡單，但可能存在吸附不均勻的情況。靜電吸附則利用

  萬智光學(xué)

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  01/23 07:22

  碳化硅 晶圓

  
• 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來自暗處的挑戰(zhàn) —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。深入探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源，以及剖析其給氮化鎵襯底厚度測量帶來的全方位影響，對于保障半導(dǎo)體制造工藝的高質(zhì)量推進(jìn)有著舉足輕重的意義。一、“溫漂” 現(xiàn)象的滋生土壤1，

  萬智光學(xué)

  866

  01/22 07:33

  碳化硅 晶圓

  
• 特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響

  在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響著晶圓 BOW 的測量精度與可靠性，對整個(gè)半導(dǎo)體工藝鏈的穩(wěn)定性起著不可忽視的作用。一、真空吸附方式剖析真空吸附方式長期以來在晶圓測量領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。它借助布滿吸盤表面的微小氣孔，通過抽真空操作，使晶圓

  萬智光學(xué)

  1090

  01/21 07:23

  碳化硅 晶圓

  
• 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實(shí)際影響

  在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅 —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。這一看似細(xì)微的現(xiàn)象，實(shí)則對氮化鎵襯底厚度測量產(chǎn)生著諸多深遠(yuǎn)且實(shí)際的影響，關(guān)乎整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝的成敗。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在成因測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上源于溫度

  萬智光學(xué)

  582

  01/20 09:30

  碳化硅 晶圓

  
• 不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮氮化鎵襯底的優(yōu)勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準(zhǔn)測量至關(guān)重要，因?yàn)檫@直接關(guān)聯(lián)到后續(xù)芯片制造工藝的良率與性能表現(xiàn)。不同的吸附方案恰似一雙雙各異的 “巧手”，在測量氮化鎵襯底 BOW/

  萬智光學(xué)

  812

  01/17 08:04

  碳化硅 晶圓

  
• 氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量是保障后續(xù)芯片制造工藝精準(zhǔn)實(shí)施的重要前提，不同的吸附方案在這一測量環(huán)節(jié)中扮演著截然不同的角色，其中環(huán)吸方案更是以獨(dú)特優(yōu)勢與其他方案形成鮮明對比，對測量結(jié)果產(chǎn)

  萬智光學(xué)

  671

  01/16 07:12

  碳化硅 晶圓

  

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