電源設(shè)計(jì)

• 突破光耦合的溫度限制 ，實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)

  對(duì)于電氣隔離電源，您必須確定電氣隔離控制器IC在初級(jí)或次級(jí)的哪一端將會(huì)導(dǎo)通，如果它位于次級(jí)端，則必須通過(guò)電氣隔離提供對(duì)初級(jí)端電源開(kāi)關(guān)的控制。 一般而言，無(wú)論是初級(jí)端的控制器還是次級(jí)端的控制器，在兩種架構(gòu)中都需要可越過(guò)電氣隔離進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)穆窂?，通常為光耦合?或光隔離器)。然而，它們會(huì)帶來(lái)一些不利因素：它們的額定溫度通常僅為85°C，電流傳輸比(CTR)隨時(shí)間而改變，這意味著它們的傳輸行為在電路使

  亞德諾半導(dǎo)體

  238

  06/25 12:17

  ADI 電源設(shè)計(jì)
• LDO的重要特性Brick-Wall Current Limiting有什么用？

  Part 01 前言 LDO在設(shè)計(jì)電源時(shí)很常用，說(shuō)到電源，就必然要考慮的一個(gè)問(wèn)題就是過(guò)流保護(hù)，過(guò)流保護(hù)是LDO電路設(shè)計(jì)中繞不過(guò)的“硬核”問(wèn)題。LDO通過(guò)調(diào)節(jié)輸出電壓，確保負(fù)載在不同電流需求下穩(wěn)定工作。但當(dāng)負(fù)載電流超出設(shè)計(jì)范圍，如短路或過(guò)載，過(guò)大的電流可能導(dǎo)致芯片過(guò)熱甚至損壞。為此，過(guò)流保護(hù)機(jī)制應(yīng)運(yùn)而生，旨在限制輸出電流，保護(hù)LDO及其負(fù)載。LDO有兩種典型的過(guò)流保護(hù)機(jī)制：磚墻限流Brick-Wal

  硬件那點(diǎn)事兒

  192

  06/25 11:39

  電源設(shè)計(jì) LDO

  
• 別再瞎畫了！電源布局布線圖解版，實(shí)用干貨全在這！

  電源設(shè)計(jì)，是PCB設(shè)計(jì)中最核心、也最容易翻車的模塊之一。今天這篇文章，就結(jié)合圖文，帶你完整拆解?開(kāi)關(guān)電源與LDO線性穩(wěn)壓器的PCB設(shè)計(jì)技巧，從布局到鋪銅，從GND處理到過(guò)孔安排，全流程講透！

  凡億教育

  1522

  06/12 16:56

  開(kāi)關(guān)電源 pcb設(shè)計(jì)

  
• 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新

  當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，這樣可減小無(wú)源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計(jì)效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE

  與非網(wǎng)編輯

  828

  06/04 11:10

  SiC GaN

  

正在努力加載...