第三代半導(dǎo)體

2024年最后一個(gè)半導(dǎo)體IPO，花落蘇州企業(yè)。芯東西12月31日?qǐng)?bào)道，12月30日，氮化鎵龍頭英諾賽科在港交所主板掛牌上市，成為港股“第三代半導(dǎo)體”第一股！英諾賽科最終發(fā)售價(jià)為每股30.86港元，上市首日以31港元/股收盤，今日再漲1.29%，總市值為276億港元（約合人民幣260億元）。

日前，據(jù)全國(guó)企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)披露，北京市第一中級(jí)人民法院受理了北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司破產(chǎn)清算案件，并指定北京華信清算服務(wù)有限公司擔(dān)任管理人。昔日明星企業(yè)，如今卻破產(chǎn)清算，其背后也折射出目前碳化硅乃至第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的窘境。

近日，國(guó)內(nèi)3個(gè)第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目宣布簽約、開(kāi)工、封頂：據(jù)“桐鄉(xiāng)國(guó)投”官微消息，11月19日，“AI改變能源”咖薈在烏村舉行，會(huì)上進(jìn)行了多個(gè)項(xiàng)目簽約。

最新市場(chǎng)消息顯示，由于中國(guó)新能源汽車、光伏市場(chǎng)近年來(lái)的迅猛發(fā)展，在技術(shù)迭代及產(chǎn)能擴(kuò)充加快步伐下，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)成本正在大幅下降，其中SiC襯底、外延以及SiC模塊降價(jià)明顯。

10月16日，為期三天的首屆SEMiBAY灣芯展——灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)在深圳會(huì)展中心（福田）盛大開(kāi)幕。首屆SEMiBAY灣芯展打造了晶圓制造、封裝測(cè)試、化合物半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、EDA/IP與設(shè)計(jì)服務(wù)、零部件等6大主題展區(qū)，覆蓋半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)以及市場(chǎng)熱點(diǎn)領(lǐng)域，全方位展示行業(yè)前沿技術(shù)、創(chuàng)新成果、最新產(chǎn)品與解決方案以及市場(chǎng)應(yīng)用。

2024年的碳化硅市場(chǎng)猶如一條洶涌的大河，全球各大廠家傾瀉而下、奔涌向前。我們可以看到全球各大廠在過(guò)去幾年中投資布局的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已逐步進(jìn)入落地階段，包括英飛凌在馬來(lái)西亞建設(shè)的居林新廠，安森美在韓國(guó)富川規(guī)劃的生產(chǎn)設(shè)施，三安在重慶投資的碳化硅項(xiàng)目等等。聚焦我國(guó)，則以碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的8英寸襯底材料發(fā)展為甚，近兩年許多企業(yè)8英寸襯底技術(shù)陸續(xù)突破。

近日，國(guó)內(nèi)又新增了多個(gè)SiC項(xiàng)目：●?北一半導(dǎo)體：第三代半導(dǎo)體功率模塊生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，總投資10億?！?思銳智能：半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心項(xiàng)目封頂，項(xiàng)目投資超12億。●?連城凱克斯、海浥半導(dǎo)體：SiC相關(guān)項(xiàng)目簽約落戶江蘇無(wú)錫。

前述文章，我們連續(xù)分析了4家功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)如：《功率半導(dǎo)體企業(yè)分析——華潤(rùn)微》，《捷捷微電——打破進(jìn)口壁壘的功率半導(dǎo)體先驅(qū)，能否引領(lǐng)行業(yè)復(fù)蘇？》，《時(shí)代電氣——始于軌交、興于功率半導(dǎo)體》，《斯達(dá)半導(dǎo)——國(guó)產(chǎn)IGBT龍頭，持續(xù)助力新能源發(fā)展》。 本文篩選了功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)12家上市公司，對(duì)12家公司和產(chǎn)品進(jìn)行了介紹，對(duì)功率半導(dǎo)體相關(guān)的營(yíng)收、毛利率情況進(jìn)行了拆分對(duì)比，對(duì)扣非凈利潤(rùn)、研發(fā)投入、研發(fā)占

近日，elexcon2024和PCIM Asia兩大盛會(huì)齊聚深圳，眾多存儲(chǔ)和第三代半導(dǎo)體廠商聚集，紛紛展出最新產(chǎn)品技術(shù)，引起行業(yè)駐足，一起看看兩大展會(huì)有何亮點(diǎn)吧。

據(jù)南京發(fā)布近日消息，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國(guó)在這一領(lǐng)域的首次突破。

在現(xiàn)代科技迅速發(fā)展的背景下，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)和科技進(jìn)步的核心力量。自從上世紀(jì)四十年代第一顆晶體管的誕生以來(lái)，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了翻天覆地的變化，從硅基元件到今天的復(fù)雜集成電路，每一次技術(shù)革新都極大推動(dòng)了信息技術(shù)、消費(fèi)電子、汽車、醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域的革命。

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價(jià)值，并具有較大的遠(yuǎn)景發(fā)展空間。

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole數(shù)據(jù)顯示，2026年GaN市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá)6.72億美元。SiC碳化硅2027年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破60億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。

在全球新一輪科技革命中，芯片產(chǎn)業(yè)不僅關(guān)乎著國(guó)家信息安全和科技地位，也是衡量一個(gè)國(guó)家現(xiàn)代化進(jìn)程和綜合國(guó)力的指標(biāo)之一，并被業(yè)界稱為全球最具戰(zhàn)略性價(jià)值的產(chǎn)品。供需市場(chǎng)瞬息萬(wàn)變，面對(duì)全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈分工模式的大變局，具備自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈和供應(yīng)鏈體系是全球各地區(qū)永不松懈的動(dòng)力和目標(biāo)，因此，突破芯片產(chǎn)業(yè)“卡脖子”技術(shù)瓶頸成為其破局必經(jīng)之道。

目前，第三代半導(dǎo)體材料正處在一個(gè)快速發(fā)展的階段，各國(guó)企業(yè)都在積極布局，以期在未來(lái)的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，第三代半導(dǎo)體材料有望在未來(lái)的電子器件市場(chǎng)中扮演越來(lái)越重要的角色。