芯片制造

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  • 100個關于芯片制造的關鍵知識點
    一、芯片制造基礎與材料 晶圓(Wafer):單晶硅切片,常用尺寸為?8?英寸?/ 12?英寸,晶體取向(如<100>、<111>)影響器件性能。 襯底材料:除硅外,包括化合物半導體(GaAs、SiC、GaN)、絕緣體上硅(SOI)等。 光刻膠(Photoresist):分正性?/?負性,對光敏感,曝光后化學性質改變,用于定義圖案。 掩膜版(Mask/Reticle):石英玻
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  • 芯片制造為什么需要StartOxide
    在芯片制造過程中,“Start Oxide”(通常稱為初始氧化層或起始氧化層)是一道基礎且關鍵的工藝步驟,其核心作用是為后續(xù)制造流程提供物理保護、絕緣隔離和工藝支撐。以下從技術原理和實際應用角度詳細解析其必要性: 一、Start Oxide 的定義與制備方式 定義: 初始氧化層是在硅片(襯底)清洗后,通過熱氧化工藝(如干氧氧化、濕氧氧化或水汽氧化)在硅表面形成的一層薄二氧化硅(SiO?),厚度通常
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