EUV光刻

• EUV光刻，新的對手

  最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）宣布開發(fā)出了一種名稱為大孔徑銩 （BAT） 激光器，這種激光器比現(xiàn)在行業(yè)內的標準CO2激光器將EUV光源提高約10倍。

  半導體產業(yè)縱橫

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  01/15 09:25

  EUV光刻

  
• 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

  8月7日消息，近日日本沖繩科學技術大學（OIST）的Tsumoru Shintake教授帶領的研究團隊提出了一項全新、大幅簡化的面向極紫外（EUV）光刻機的雙反射鏡系統(tǒng)。相比傳統(tǒng)的至少需要六面反射鏡的配置，新的光學投影系統(tǒng)僅使用了兩面反射鏡，在確保系統(tǒng)維持較高的光學性能的同時，能讓EUV光線以超過初始值10%的功率到達晶圓，相比傳統(tǒng)系統(tǒng)中僅1%的功率來說，提了高到了原來的10倍，可說是一大突破。

  芯智訊

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  2024/08/12

  EUV光刻機 EUV光刻

  

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