SiC MOSFET

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  • SiC Combo JFET技術概覽與特性
    安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。 SiC Combo JFET 技術概覽 對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常
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  • CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型
    之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點及導通特性
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    06/24 12:38
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  • TMC2025 課后作業(yè)|半導體分論壇
    作為一個日常斷更的公眾號，今天的更新需要出發(fā)點是上周TMC展留下的課后作業(yè)。有幸成為TMC的合作媒體，參加了上周為期兩天的TMC會議，以下給大家先“匯報”下第17屆TMC會議的成果：
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  • ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半導體的仿真速度實現(xiàn)質的飛躍
    全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模
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  • 柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用
    碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數(shù)，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。
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    05/27 11:30
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