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波分復(fù)用WDM(Wavelength Division Multiplexing)是將兩種或多種不同波長(zhǎng)的光載波信號(hào)(攜帶各種信息)在發(fā)送端經(jīng)復(fù)用器(亦稱合波器,Multiplexer)匯合在一起,并耦合到光線路的同一根光纖中進(jìn)行傳輸?shù)募夹g(shù);在接收端,經(jīng)解復(fù)用器(亦稱分波器或稱去復(fù)用器,Demultiplexer)將各種波長(zhǎng)的光載波分離,然后由光接收機(jī)作進(jìn)一步處理以恢復(fù)原信號(hào)。這種在同一根光纖中同時(shí)傳輸兩個(gè)或眾多不同波長(zhǎng)光信號(hào)的技術(shù),稱為波分復(fù)用。
波分復(fù)用WDM(Wavelength Division Multiplexing)是將兩種或多種不同波長(zhǎng)的光載波信號(hào)(攜帶各種信息)在發(fā)送端經(jīng)復(fù)用器(亦稱合波器,Multiplexer)匯合在一起,并耦合到光線路的同一根光纖中進(jìn)行傳輸?shù)募夹g(shù);在接收端,經(jīng)解復(fù)用器(亦稱分波器或稱去復(fù)用器,Demultiplexer)將各種波長(zhǎng)的光載波分離,然后由光接收機(jī)作進(jìn)一步處理以恢復(fù)原信號(hào)。這種在同一根光纖中同時(shí)傳輸兩個(gè)或眾多不同波長(zhǎng)光信號(hào)的技術(shù),稱為波分復(fù)用。收起
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小米在2025年6月26日正式發(fā)布小米AI眼鏡,售價(jià)1999起。 小米AI眼鏡的發(fā)布,不僅標(biāo)志著小米在智能穿戴領(lǐng)域的深入探索,也預(yù)示著智能生活新時(shí)代的到來。這款眼鏡配置,搭載了高通驍龍AR1 Gen1處理器和恒玄2700芯片,確保了設(shè)備在處理復(fù)雜任務(wù)和低功耗任務(wù)游刃有余。4GB+32GB的存儲(chǔ)組合為用戶提供了充足的存儲(chǔ)空間,拍攝視頻輕松應(yīng)對(duì)。5個(gè)麥克風(fēng)陣列的配置則能夠精準(zhǔn)捕捉聲音,無論是通話還是錄
EOCR-SE2-05NS 和 EOCR-SE2-05RS產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
EOCR-SE2-05NS 和 EOCR-SE2-05RS 是施耐德旗下韓國(guó)三和品牌的經(jīng)濟(jì)型馬達(dá)保護(hù)器,均具備過電流、缺相和堵轉(zhuǎn)保護(hù)功能,但兩者在安全模式、接線方式、適用場(chǎng)景等方面存在差異。以下是對(duì)這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹: 一、產(chǎn)品特點(diǎn) 1.EOCR-SE2-05NS -安全模式:供電后被激勵(lì)性,俗稱安全模式。當(dāng)A1-A2供電后,輸出觸點(diǎn)95-96常閉點(diǎn),95-98常開點(diǎn)立刻發(fā)生改變。 -通訊功能:
高溫?cái)嚯娢C(jī) AN1V PB302如何用0.0025ms響應(yīng)守住儲(chǔ)能系統(tǒng) 安全紅線
7月應(yīng)該是一年之中氣溫最高的季節(jié)了,也是電網(wǎng)負(fù)荷激增的時(shí)候,這給儲(chǔ)能系統(tǒng)安全帶來了不小壓力,類似熱失控、過流引發(fā)的安全事故頻發(fā)。儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)電流檢測(cè)的實(shí)時(shí)性要求極高,稍微延時(shí)都可能釀成大禍,傳統(tǒng)電流傳感器響應(yīng)慢,無法及時(shí)切斷故障電流,導(dǎo)致事故擴(kuò)大,而芯森電子推出的AN1V PB302系列微型霍爾電流傳感器,以0.0025ms(2.5微秒)超快響應(yīng),或成為儲(chǔ)能安全的“最后一道防線”。 為什么儲(chǔ)能系統(tǒng)需
注塑PEEK閥門高性能流體控制系統(tǒng)解決方案
PEEK閥門設(shè)計(jì)是為了在苛刻的環(huán)境中提供卓越的性能。這些閥門以其優(yōu)異的耐化學(xué)性和輕質(zhì)特性而得到廣泛運(yùn)用,是高壓和耐腐蝕環(huán)境的理想選擇。無論是在醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)流體控制還是實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)中,PEEK閥門都能提供精確可靠的流量控制。憑借承受極端溫度和腐蝕性化學(xué)品的能力,它們?yōu)榱黧w處理系統(tǒng)提供了持久的解決方案。 一、PEEK閥門在醫(yī)療與半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用 -醫(yī)療領(lǐng)域:用于透析設(shè)備的PEEK閥門,耐受高溫高壓滅菌
從開關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)
一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素 開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開)和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時(shí)間(tr)、下降時(shí)間(tf)和開關(guān)時(shí)間(ts)來描述。開關(guān)速度越快,MOSFET切換的響應(yīng)時(shí)間越短,意味著更小的開關(guān)損耗和更高的工作效率。MOSFET的開關(guān)速度主要受以下幾個(gè)因素的影響: 門極電荷(Qg):門極電荷是MOSFET開關(guān)過程中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),直接決定了開關(guān)速度。門極電
深圳南柯電子 高壓線束EMC整改 基于仿真預(yù)測(cè)的精準(zhǔn)優(yōu)化方案
在新能源汽車、軌道交通及工業(yè)自動(dòng)化等高技術(shù)領(lǐng)域,高壓線束作為能量傳輸與信號(hào)交互的關(guān)鍵部件,其電磁兼容性(EMC)性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行與安全性。隨著電子設(shè)備的日益密集與復(fù)雜化,高壓線束產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)問題愈發(fā)凸顯,成為制約產(chǎn)品性能提升的一大瓶頸。
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