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共柵極架構(gòu)LNA

7小時(shí)前
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在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過(guò)程。

具體可以看MOS管的三種基本電路。

共柵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電壓增益，輸入電阻和輸出電阻的推導(dǎo)如下圖。

如果考慮溝道調(diào)制效應(yīng)，則又變成：

從上述推導(dǎo)，可以知道，共柵架構(gòu)的輸入阻抗很小，這使得其很容易達(dá)到50ohm。

不過(guò)，RD一方面為偏置電阻，另一方面又是增益的一部分；而作為增益的一部分，希望它越大越好；但是太大，又會(huì)使得管子上的VD電壓變小。

為了避免這種矛盾的產(chǎn)生，對(duì)基本的CG架構(gòu)進(jìn)行改良，用電感來(lái)替代RD。如下圖所示。

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