逾10座晶圓廠蓄勢(shì)待發(fā)！

受市場需求復(fù)蘇以及地緣政治等因素影響，當(dāng)前各國政府和地區(qū)都在加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與布局。其中美國政府提出了《芯片與科學(xué)法案》，希望通過資金補(bǔ)助鞏固其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。

自2024年以來，英特爾、臺(tái)積電、三星、格芯等半導(dǎo)體大廠都已宣布獲得補(bǔ)貼。而近日，有消息稱美國存儲(chǔ)芯片制造大廠美光科技也將獲得逾60億美元的補(bǔ)貼。

如今，該消息得到了美光科技的證實(shí)。

61億美元美光確認(rèn)獲高額補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月25日，美光科技正式在其官網(wǎng)宣布，獲得61億美元政府補(bǔ)助。

美光在新聞稿中指出，已經(jīng)與美國政府簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》而獲得美國政府提供的61億美元資金補(bǔ)助，以支持愛達(dá)荷州和紐約州計(jì)劃的尖端內(nèi)存制造。

據(jù)悉，除了61億美元資金補(bǔ)助，美光還將受益于美國財(cái)政部的投資稅收抵免，該稅收抵免將為美光合格的資本投資提供25%的抵免。此外，紐約州政府也將為美光提供高達(dá)55億美元的激勵(lì)措施。

這些撥款以及額外的州和地方激勵(lì)措施將支持美光在愛達(dá)荷州建設(shè)一個(gè)領(lǐng)先的DRAM存儲(chǔ)器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設(shè)兩座先進(jìn)DRAM存儲(chǔ)器制造工廠。新聞稿表示，美國政府的補(bǔ)貼將支持美光計(jì)劃到2030年為美國國內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造投資約500億美元的總資本支出。

美光表示，500億美元的投資金額也是美光未來20年在紐約和愛達(dá)荷州投資至多1250億美元、創(chuàng)造上萬個(gè)就業(yè)崗位計(jì)劃的第一步。

促進(jìn)存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)美光建設(shè)5座工廠

此前，美光已宣布將在紐約州建設(shè)4座工廠，并在其總部所在地愛達(dá)荷州博伊西市建設(shè)1座工廠。

2022年10月，美光科技宣布，為促進(jìn)存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)，計(jì)劃未來20年內(nèi)投資1000億美元在紐約州北部錫拉丘茲地區(qū)新建4座工廠。該戰(zhàn)略是美光未來十年將美國DRAM產(chǎn)量提高到該公司全球產(chǎn)量的40%戰(zhàn)略的一部分。

美光表示，紐約項(xiàng)目正在進(jìn)行初步設(shè)計(jì)、實(shí)地研究和包括NEPA在內(nèi)的許可申請(qǐng)。第一座晶圓廠的建設(shè)預(yù)計(jì)將于2025年開始，并于2028年投產(chǎn)并貢獻(xiàn)產(chǎn)量，并根據(jù)未來十年的市場需求而增加。

而位于愛達(dá)荷州的工廠已于2023年10月開工。美光表示，該廠預(yù)計(jì)將于 2025年上線并投入運(yùn)營，2026年正式開始DRAM的生產(chǎn)，DRAM產(chǎn)量也將隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。

美光預(yù)計(jì)，到2035年其愛達(dá)荷工廠和紐約的兩個(gè)工廠在先進(jìn)內(nèi)存制造領(lǐng)域的份額將從目前的不到2%增加到約10%。

對(duì)于上述建廠計(jì)劃，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra上個(gè)月表示，這些計(jì)劃“要求美光獲得足夠的芯片補(bǔ)貼、投資稅收抵免和當(dāng)?shù)丶?lì)措施，以解決與海外建廠相比的成本差異?！?/p>

美光存儲(chǔ)業(yè)績向好

當(dāng)前，手機(jī)、個(gè)人電腦以及服務(wù)器市場需求逐步復(fù)蘇，加上智能汽車、人工智能AI等應(yīng)用快速發(fā)展，在大數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等市場推動(dòng)下，存儲(chǔ)芯片需求出現(xiàn)回溫跡象，而美光業(yè)績也逐漸向好。

其中受惠于備貨動(dòng)能回溫，以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn)，主流產(chǎn)品的合約價(jià)格走揚(yáng)，帶動(dòng)2023年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)174.6億美元，季增29.6%。其中，美光作為全球第三大DRAM內(nèi)存廠商，當(dāng)季由于量價(jià)齊揚(yáng)，出貨位元及平均銷售單價(jià)均季增4~6%，DDR5與HBM比重相對(duì)低，故營收成長幅度較為和緩，第四季營收達(dá)33.5億美元，季增8.9%。

NAND Flash方面，受惠于終端需求因年終促銷回溫，加上零部件市場因追價(jià)而擴(kuò)大訂單動(dòng)能，2023年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收達(dá)114.9億美元，季增24.5%。其中，美光貢獻(xiàn)營收11.4億美元，季減1.1%。美光認(rèn)為今年NAND Flash需求位元須年增15~20%，且要加上產(chǎn)能持續(xù)調(diào)控，在供給位元與需求位元的平衡下，產(chǎn)業(yè)才能有機(jī)會(huì)出現(xiàn)獲利可能。

此外，根據(jù)美光3月公布的最新財(cái)報(bào)，其第二財(cái)季DRAM營收為42億美元，占總營收的71%，環(huán)比增長21%。NAND營收為16億美元，占美光總營收的27%，環(huán)比增長27%。

多家芯片制造商獲補(bǔ)貼，美國逾10座晶圓廠在路上

2022年，為重振美國半導(dǎo)體生產(chǎn)，美國政府正式通過了《芯片與科學(xué)法案》，其中包括向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，為企業(yè)提供價(jià)值240億美元的投資稅抵免等。

而截至目前，除了美光的61億美元之外，美國政府此前已確定向臺(tái)積電、英特爾、格芯、三星等芯片制造商發(fā)放數(shù)百億美元的補(bǔ)貼。從數(shù)量上來看，上述廠商在美國建設(shè)（進(jìn)行中和計(jì)劃）的晶圓廠已超10座。

4月15日，美國政府與韓國三星達(dá)成協(xié)議，將向該公司提供高達(dá)64億美元的直接資助，用于在得克薩斯州建立一個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)集群，包括兩家生產(chǎn)4納米和2納米芯片的工廠。此外，還將建設(shè)一家專門負(fù)責(zé)研發(fā)的工廠，以及一個(gè)芯片組件封裝設(shè)施。

4月8日，美國商務(wù)部和臺(tái)積電簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT），基于《芯片與科學(xué)法案》，臺(tái)積電將獲得最高可達(dá)66億美元的直接補(bǔ)助。此外，臺(tái)積電還宣布，計(jì)劃在美國亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠。臺(tái)積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進(jìn)的工藝生產(chǎn)芯片，并計(jì)劃在2028年開始生產(chǎn)。

3月20日，美國商務(wù)部與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），前者向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款以擴(kuò)大其高端芯片制造產(chǎn)能。按照計(jì)劃，英特爾將在美國四個(gè)州投入1000億美元，用于建設(shè)新工廠及升級(jí)現(xiàn)有工廠。包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設(shè)備研發(fā)和先進(jìn)封裝項(xiàng)目。

2月19日，美國政府表示，將向格芯提供15億美元資金，以擴(kuò)大半導(dǎo)體生產(chǎn)。根據(jù)格芯與美國商務(wù)部達(dá)成的初步協(xié)議，該公司將在紐約州馬爾他興建新廠，并擴(kuò)大當(dāng)?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓既有的生產(chǎn)規(guī)模。

事實(shí)上，自2023年2月開放資助申請(qǐng)以來，美國CHIPS計(jì)劃辦公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向書和180份項(xiàng)目申請(qǐng)。由于資金有限且申請(qǐng)數(shù)量巨大，CHIPS項(xiàng)目辦公室已近日宣布，計(jì)劃關(guān)閉半導(dǎo)體制造工廠的資助申請(qǐng)，將關(guān)閉對(duì)半導(dǎo)體工廠或晶圓廠的聯(lián)邦資助機(jī)會(huì)，“直至另行通知”。