存儲大廠再起飛！

9月25日，存儲大廠SK海力士宣布，率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E，并預(yù)計將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品。SK海力士指出，12層HBM3E在面向AI的存儲器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達(dá)到全球最高水平。

而近日，除了SK海力士之外，美光、三星和鎧俠三大存儲廠商也向外宣布了利好消息，其中，美光公布了最新亮眼財報；鎧俠獲得1200億日元貸款；三星也宣布正式量產(chǎn)首款1Tb四層單元（QLC）第九代V-NAND產(chǎn)品。

美光第四財季營收大增93%

當(dāng)?shù)貢r間9月25日，美國存儲大廠美光公布截至2024年8月29日的2024財年第四季度和全年的業(yè)績。在人工智能帶來的存儲芯片需求激增推動下，美光科技在2024財年第四季度營收取得十多年來最大漲幅，同時對下一財季的業(yè)績預(yù)測也超出了華爾街的預(yù)期。

財報數(shù)據(jù)顯示，截至2024年8月29日，美光當(dāng)季營收同比增長93%至77.5億美元，優(yōu)于市場預(yù)期的76.6億美元，其在上一季度的營收為68.1億美元，去年同期為40.1億美元；凈利潤8.87億美元，優(yōu)于市場預(yù)期9.5億美元，去年同期凈虧損14.3億美元；每股收益0.79美元，市場預(yù)期0.81美元，去年同期每股虧損1.31美元。

美光表示，第四財季的收入同比增長93%，主要原因是強(qiáng)勁的人工智能需求推動了數(shù)據(jù)中心DRAM產(chǎn)品和業(yè)界領(lǐng)先的高帶寬內(nèi)存HBM的強(qiáng)勁增長。美光認(rèn)為，HBM的整體市場規(guī)模將從自然年2023年的約40億美元成長至2025年的250多億美元，而美光也預(yù)計在自然年2025年之初，加大生產(chǎn)HBM3E 12hi產(chǎn)品，全年增加產(chǎn)品出貨量。

同時，Micron科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra亦表示，在數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤SSD銷售的帶動下，美光的NAND收入也創(chuàng)下新高，季度收入首次突破10億美元。

從全年來看，美光2024財年全年實現(xiàn)營收251.1億美元，而前一年為155.4億美元；凈利潤7.78億美元，攤薄后每股收益0.70美元。美光預(yù)測，2025財年第一季度營收將達(dá)到87億美元（上下浮動2億美元），將同樣超出市場預(yù)期的83.2億美元，并預(yù)計同期毛利率將躍升至月39.5%。

鎧俠：獲1200億日元貸款

9月20日，NAND Flash存儲大廠鎧俠控股株式會社 (Kioxia Holdings）宣布，該公司及其子公司鎧俠株式會社與三井住友銀行、三菱日聯(lián)銀行和三井住友融資租賃有限公司達(dá)成了協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，三家金融機(jī)構(gòu)將為鎧俠提供合計1200億日元的貸款。鎧俠表示，本次融資金額將用于資助特定資本投資，包括與該公司在日本四日市和北上工廠的第8代BiCS FLASHTM相關(guān)的投資。

據(jù)悉，鎧俠四日市和北上市工廠是和另一家存儲大廠西數(shù)共同投資建設(shè)。其中，位于日本巖手縣北上市的Fab2（K2）工廠也是當(dāng)?shù)氐诙?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/499753.html">NAND閃存制造廠。

今年年初，鎧俠和西數(shù)聯(lián)合宣布，雙方位于四日市和北上市的合資工廠獲得政府高達(dá)1500億日元的補(bǔ)貼，其中包括生產(chǎn)最新一代3D閃存的工廠。

7月，鎧俠正式發(fā)布第八代BiCS FLASHTMQLC閃存，最高存儲容量可達(dá)2Tb。鎧俠指出，2Tb QLC存儲器的誕生，將推動包括人工智能在內(nèi)的多個應(yīng)用領(lǐng)域的增長；同月，北上市工廠Fab 2（K2）正式完工，鎧俠計劃于2025年秋季在K2開始進(jìn)行運營

鎧俠指出，公司綜合財務(wù)業(yè)績自截至2024年3月31日的財季起已恢復(fù)盈利。而隨著AI應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心的需求不斷增長，鎧俠預(yù)計閃存市場在中長期內(nèi)將具有增長潛力。

三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND啟動量產(chǎn)

據(jù)官方介紹，三星此次量產(chǎn)的QLC V-NAND產(chǎn)品采用了多項突破性技術(shù)，包括通道孔蝕刻技術(shù)、預(yù)設(shè)模具（Designed Mold）技術(shù)、預(yù)測程序（Predictive Program）技術(shù)和低功耗設(shè)計（Low-Power Design）技術(shù)。

基于上述技術(shù)，三星QLC第九代V-NAND產(chǎn)品位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%；數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約20%；寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%；數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降約30%和50%。

產(chǎn)品應(yīng)用方面，三星計劃，將QLC第九代V-NAND的應(yīng)用范圍，從品牌消費類產(chǎn)品開始擴(kuò)展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務(wù)器SSD，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù)。

AI應(yīng)用及數(shù)據(jù)中心推動存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展

從上述三大廠商公布的最新消息來看，人工智能AI、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用均不約而同地被提及。而事實上，近年來，在人工智能浪潮的推動下，各大存儲廠商均從中受益，這一點從市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢近期發(fā)布的廠商營收排名亦可窺探一二。

DRAM方面，集邦咨詢8月中旬公布的第二季全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營收排名顯示，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)229億美元，季增24.8%。其中，三星受惠于平均銷售單價季增17%至19%，位元出貨量也小幅增加，帶動DRAM營收成長至98.2億美元，季增22%；美光營收也較上季增加14.1%，為45億美元，平均銷售單價季增達(dá)15%至16%。

NAND Flash方面，集邦咨詢在9月上旬公布的研報顯示，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash價格持續(xù)上漲，平均銷售單價上漲了15%，總營收達(dá)167.96億美元，較前一季增長了14.2%。

其中，三星在第二季時積極回應(yīng)客戶對企業(yè)級存儲產(chǎn)品的需求。其第二季營收達(dá)62億美元，季增長14.8%。鎧俠亦因服務(wù)器需求略有改善，促使其位元出貨量季增12%，第二季營收達(dá)23.26億美元，季增27.7%；而美光在當(dāng)季的NAND Flash營收達(dá)到19.81億美元，季增15.2%。值得一提的是，上述三大廠商在當(dāng)季NAND Flash位元平均銷售單價上漲幅度均達(dá)20%。

此外，三星預(yù)估，其第三季出貨量將優(yōu)于市場整體水平，加上Enterprise SSD價格漲幅較高，將帶動其第三季營收增長；美光認(rèn)為，Enterprise SSD大容量產(chǎn)品的放量帶動其第二季營收增長，未來將調(diào)整產(chǎn)品重心，第三季Enterprise SSD出貨量預(yù)期將持續(xù)增長。

集邦咨詢指出，第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求。