臺積電計劃停止GaN芯片生產(chǎn)

7月1日，納微半導(dǎo)體公布了一份8-K文件，其中提到，“在獲悉公司唯一的氮化鎵晶圓供應(yīng)商臺積電將于 2027 年 7 月停止 GaN 生產(chǎn)后，納微將繼續(xù)計劃實現(xiàn)氮化鎵晶圓供應(yīng)來源多元化。（Navitas will continue plans to diversify its sources of GaN wafers after being informed that Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), the Company’s sole source of GaN wafers, will end GaN production in July 2027）

為此，納微半導(dǎo)體已與力積電建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，正式啟動并持續(xù)推進(jìn)8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。同時，他們還在物色和篩選更多供應(yīng)商，以進(jìn)一步實現(xiàn)晶圓來源多元化，并提高運(yùn)營靈活性。

值得關(guān)注的是，臺積電此前在代工領(lǐng)域形成了領(lǐng)先優(yōu)勢，主要采用6英寸GaN產(chǎn)線，并采用硅基氮化鎵技術(shù)，眾多GaN功率器件公司都與其達(dá)成了合作：

GaN Systems：2015年，GaN Systems 宣布，其代工廠臺積電基于其專有的 Island 技術(shù)提高了 E-mode 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的產(chǎn)量。

納微半導(dǎo)體：2017年10月，納微半導(dǎo)體宣布與臺積電和Amkor結(jié)成主要制造合作伙伴，臺積電將針對專有納微GaN 功率IC平臺的制造提供了業(yè)界最大型和最先進(jìn)的GaN-on-Silicon晶圓產(chǎn)能。

意法半導(dǎo)體：2020年2月，意法半導(dǎo)體宣布與臺積電合作加速氮化鎵（GaN）工藝技術(shù)的開發(fā)，并向市場供應(yīng)分立式和集成式GaN器件。意法半導(dǎo)體的GaN產(chǎn)品將采用臺積電領(lǐng)先的GaN工藝技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。

CGD：2023年10月，劍橋氮化鎵設(shè)備有限公司 (CGD) 透露，他們的ICeGaN技術(shù)已采用臺積電的GaN工藝技術(shù)，為全球客戶實現(xiàn)量產(chǎn)。

法國Wise-integration：2024年5月，法國氮化鎵數(shù)字控制及電源廠商Wise-integration透露其?650V E-mode GaN 晶體管芯片中使用了臺積電的 650V GaN/Si 技術(shù)。

羅姆半導(dǎo)體：2024年12月，羅姆宣布與臺積電已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)和量產(chǎn)用于電動汽車應(yīng)用的氮化鎵功率器件。

除了與眾多氮化鎵廠商合作外，實際上臺積電的氮化鎵產(chǎn)能也進(jìn)行了擴(kuò)產(chǎn)。2021年，據(jù)臺灣《自由財經(jīng)》報道，臺積電當(dāng)時擁有6臺6英寸生產(chǎn)設(shè)備，并額外購買了16臺氮化鎵（GaN）相關(guān)設(shè)備。這筆投資達(dá)產(chǎn)后，其GaN設(shè)備數(shù)量增加了2倍以上，產(chǎn)能將增至逾萬片。

據(jù)此來看，臺積電在氮化鎵領(lǐng)域布局已久，并已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的產(chǎn)能與合作關(guān)系。但是，至于其為何要停止GaN芯片生產(chǎn)，暫未有官方回應(yīng)。

但可以預(yù)見的是，如果臺積電將停止GaN代工，眾多與其合作的GaN功率器件設(shè)計公司將轉(zhuǎn)向其它代工廠。目前，國內(nèi)眾多企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)氮化鎵芯片產(chǎn)線的穩(wěn)定運(yùn)行，或?qū)⒂舆@一市場機(jī)遇，從而推動市場格局變動。

本文發(fā)自【行家說三代半】，專注第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）行業(yè)觀察。