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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊(cè)

2023/04/25
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊(cè)

RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,這些高耐用性器件設(shè)計(jì)用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動(dòng)無(wú)線電應(yīng)用。其無(wú)與倫比的輸入和輸出設(shè)計(jì)使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。

特點(diǎn)

  • 無(wú)與倫比的輸入和輸出,可實(shí)現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
  • 設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD運(yùn)行限制
  • 在30至50 V范圍內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)展功率測(cè)試
  • 適用于帶有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用
  • 集成ESD保護(hù),具有更大的負(fù)柵源電壓范圍,以改善C類操作
  • 通過串聯(lián)等效大信號(hào)阻抗參數(shù)進(jìn)行特性描述
  • 推薦驅(qū)動(dòng)器:AFT05MS004N(4 W)或MRFE6VS25N(25 W)

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1-206062-4 1 TE Connectivity CABLE CLAMP KIT #11

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CRCW04024K70FKEDC 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 4700ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP

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FI-X30HL 1 Japan Aviation Electronics Industry Limited Card Edge Connector, 30 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal,

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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