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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數據手冊

2023/04/25
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數據手冊

RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側向MOSFET，這些高耐用性器件設計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應用。其無與倫比的輸入和輸出設計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內使用。

特點

  • 無與倫比的輸入和輸出，可實現廣泛的頻率范圍利用
  • 設備可單端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD運行限制
  • 在30至50 V范圍內進行擴展功率測試
  • 適用于帶有適當偏置的線性應用
  • 集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作
  • 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數進行特性描述
  • 推薦驅動器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

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器件型號 數量 器件廠商 器件描述 數據手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。收起

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