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AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

2023/04/25
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AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側(cè)向MOSFET，設計用于頻率在136至520 MHz之間的移動對講無線電應用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，使其成為移動無線電設備中大信號共源放大器應用的理想選擇。

特點

  • 適用于136至520 MHz操作
  • 無與倫比的輸入和輸出，可實現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
  • 集成ESD保護 · 集成穩(wěn)定性增強功能
  • 寬帶——全頻段滿功率輸出
  • 異常的熱性能
  • 極高的耐用性
  • 高線性性能：TETRA，SSB，LTE
  • 在膠帶和卷盤上提供。 R1后綴= 500個單元，44毫米膠帶寬度，13英寸卷盤

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
SKKT162/16E 1 SEMIKRON Silicon Controlled Rectifier, 250A I(T)RMS, 160000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, CASE A 21, SEMIPACK 2, 7 PIN
$77.1 查看
TP-108-02-1-T 1 Components Corporation Interconnection Device, ROHS COMPLIANT
$1.28 查看
WSL36373L000DEA 1 Vishay Intertechnologies RESISTOR, CURRENT SENSE, METAL STRIP, 3 W, 0.5 %, 50 ppm, 0.003 ohm, SURFACE MOUNT, 3637, CHIP, GREEN

ECAD模型

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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