MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

2023/04/25 作者：恩智浦

766

加入交流群

掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

這些高堅(jiān)固性的設(shè)備是設(shè)計(jì)用于高駐波比工業(yè)(包括激光和等離子體激勵器)，廣播(模擬和數(shù)字)，航空航天和無線電/陸地移動應(yīng)用。它們是不匹配的輸入和輸出設(shè)計(jì)允許寬頻率范圍利用，在1.8和600 MHz。

推薦器件

更多器件

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
501930-1100	1	Molex	Wire Terminal,	ECAD模型下載ECAD模型	$0.11	查看
1123343-1	1	TE Connectivity	025 REC CONTACT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.07	查看
BSS84	1	Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,		$0.17	查看

原創(chuàng)聲明：本文為恩智浦原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)書面授權(quán)，不得以任何方式加以使用。轉(zhuǎn)載合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。