寬禁帶半導體

• 【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

  在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。 香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發(fā)展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。 黃文海教

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  04/25 14:18

  電力電子 寬禁帶半導體

  
• 是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現動態(tài)測試

  是德科技（NYSE: KEYS ）增強了其雙脈沖測試產品組合，使客戶能夠從寬禁帶（WBG）功率半導體裸芯片的動態(tài)特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實施新技術最大限度地減少了寄生效應，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個版本的雙脈沖測試儀兼容。 是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現動態(tài)測試 WBG功率半導體器件對于構建電動汽車、可再生能源和數據中心等應用的高效、穩(wěn)定的電力電子設備至關

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  03/21 08:43

  數據中心 功率半導體

  
• 寬禁帶半導體材料企業(yè)天岳先進申請赴港IPO

  2月25日，寬禁帶半導體材料企業(yè)天岳先進發(fā)布公告，正在進行申請境外公開發(fā)行股票（H 股）并在香港聯(lián)合交易所有限公司主板上市的相關工作。此次天岳先進申報港股IPO的募集資金，擬用于擴張8英寸或更大尺寸碳化硅襯底產能、持續(xù)加強研發(fā)能力等。

  中國電子報

  1145

  02/26 10:16

  IPO 寬禁帶半導體

  
• SiC SBD的振蕩 Oscillation of SiC SBD

  讓我們開始今天的話題，寬禁帶半導體(這里主要就SiC展開)中普遍易于硅基的振蕩。

  Disciple

  1000

  01/21 11:23

  寬禁帶半導體 SiC SBD
• 寬禁帶半導體“漸入佳境”

  隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展，寬禁帶半導體材料對推動半導體產業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網等新興領域的進一步發(fā)展，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體需求逐漸攀升，寬禁帶半導體在技術推進、產品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來了新的變化。

  中國電子報

  3316

  2024/11/18

  氮化鎵 半導體材料

  
• 融資8000萬美元！從斯坦福走出的半導體激光加工技術

  近日，半導體激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，獲 8000 萬美元 B 輪融資（折合人民幣約5.81億元）。本輪融資由美國創(chuàng)新技術基金（USIT）牽頭，8VC、SAIC跟投。據媒體報道，新一輪融資將使 Halo Industries公司的總市值達到 3 億美元。

  DT半導體

  1339

  2024/08/13

  寬禁帶半導體 半導體激光器

  

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