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  • 存儲(chǔ)大廠最新財(cái)報(bào)超業(yè)界預(yù)期
    在人工智能、數(shù)據(jù)中心等助力下，存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭較為強(qiáng)勁，受益于此，近期存儲(chǔ)大廠美光科技率先交出亮眼財(cái)報(bào)。
  • 突發(fā)！SK海力士280億項(xiàng)目遭起訴！
    SK海力士在美國印第安納州的“高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）半導(dǎo)體封裝及研發(fā)工廠項(xiàng)目”正面臨當(dāng)?shù)鼐用竦男姓V訟。如果項(xiàng)目延期，預(yù)計(jì)將影響其獲得《芯片保護(hù)與信息處理法案》（CHIPS Act）補(bǔ)貼和集群建設(shè)計(jì)劃。
  • 突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
    SK海力士在投資擴(kuò)大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）產(chǎn)能方面持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設(shè)備引入新工廠的計(jì)劃，今年整體設(shè)備投資規(guī)模的最終確定時(shí)間也被推遲。
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    06/19 10:50
    突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
  • 三星又向博通供應(yīng)HBM3E
    繼AMD之后，三星電子正向博通供應(yīng)第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。今年第一季度，三星電子在向NVIDIA供應(yīng)HBM方面，將全球DRAM銷量冠軍寶座拱手讓給了SK海力士，但憑借一系列大型科技訂單，三星電子已為復(fù)蘇奠定了基礎(chǔ)。如果三星電子能夠順利獲得NVIDIA的認(rèn)證（批準(zhǔn)），而這是其今年下半年面臨的最大挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器“超缺口”的收復(fù)也將加速。
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    06/19 09:57
    三星又向博通供應(yīng)HBM3E
  • DRAM，開啟30年“新賭局”
    DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。
    DRAM，開啟30年“新賭局”
  • 三家半導(dǎo)體大廠搶灘HBM與先進(jìn)封裝設(shè)備
    隨著全球人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，高帶寬內(nèi)存HBM已成為支撐下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)。HBM通過3D封裝堆疊多層DRAM，并利用硅通孔（TSV）實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián)，對(duì)芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。在此背景下，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠正積極布局，其中韓美半導(dǎo)體、中微公司、盛美上海近期動(dòng)作頻頻，顯示出在HBM及先進(jìn)封裝領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)力。
    三家半導(dǎo)體大廠搶灘HBM與先進(jìn)封裝設(shè)備
  • 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來的跌勢(shì)。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積
    2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元

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