NPN晶體管

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晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的,其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產(chǎn)的鍺三極管多為PNP型,硅三極管多為NPN型,它們的結構原理是相同的。 三極管有三個區(qū)、三個電極。其中基區(qū)(三極管中間的一層薄半導體)引出基極b;兩側有發(fā)射區(qū)引出發(fā)射極e及集電區(qū)引出集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫發(fā)射結,集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫集電結。在電路符號上PNP型管發(fā)射極箭頭向里,NPN型管發(fā)射極箭頭向外,表示電流方向。

晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的,其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產(chǎn)的鍺三極管多為PNP型,硅三極管多為NPN型,它們的結構原理是相同的。 三極管有三個區(qū)、三個電極。其中基區(qū)(三極管中間的一層薄半導體)引出基極b;兩側有發(fā)射區(qū)引出發(fā)射極e及集電區(qū)引出集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫發(fā)射結,集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結叫集電結。在電路符號上PNP型管發(fā)射極箭頭向里,NPN型管發(fā)射極箭頭向外,表示電流方向。收起

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    關鍵詞:鍵合晶圓;TTV 質量;晶圓預處理;鍵合工藝;檢測機制 一、引言 在半導體制造領域,鍵合晶圓技術廣泛應用于三維集成、傳感器制造等領域。然而,鍵合過程中諸多因素會導致晶圓總厚度偏差(TTV)增大,影響器件性能與良品率。因此,探索提高鍵合晶圓 TTV 質量的方法,對推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。 二、提高鍵合晶圓 TTV 質量的方法 2.1 鍵合前晶圓處理 鍵合前對晶圓的處理是提高 TTV

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