刻蝕工藝

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把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。收起

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  • 什么是晶邊刻蝕（Bevel Etch）工藝？
    在介紹Bevel Etch工藝前，先簡單介紹薄膜工藝：化學(xué)氣相沉積（Chemical vapor deposition，CVD）是通過氣體混合的化學(xué)反 應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被加熱起來向反 應(yīng)系統(tǒng)提供附加能量。當(dāng)化合物在反應(yīng)腔中混合并進(jìn)行反應(yīng)時，就會發(fā)生化學(xué)氣相沉積過程。原子或分子會沉積在硅片表面成膜，下圖展示了化學(xué)氣相成膜過程。
  • 原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）詳解
    原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù)，其特點(diǎn)是以單原子層為單位，逐步去除材料表面，從而實(shí)現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD（原子層沉積）相對，一個是逐層沉積材料，一個是逐層去除材料。
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    01/16 08:39
    原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）詳解
  • 半導(dǎo)體濕法刻蝕有多少工藝要求
    半導(dǎo)體濕法刻蝕工藝要求涉及多個方面，那么想要大家一口氣說完肯定不科學(xué)。為了讓大家系統(tǒng)充分的了解與明白，我們給大家準(zhǔn)備 下面的詳細(xì)資料解釋：
  • 等離子體刻蝕和濕法刻蝕的區(qū)別
    等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。
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  • 后段刻蝕工藝（BEOL ETCH）詳解
    “后段刻蝕工藝（Back-End of Line ETCH，簡稱BEOL ETCH）”作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié)，其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。BEOL是指從金屬互連開始的晶圓制造階段，主要包括金屬布線、鈍化層沉積及相關(guān)圖形刻蝕。BEOL ETCH是針對這些材料和結(jié)構(gòu)的精確圖形化過程，用以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線、過孔（Via）等功能結(jié)構(gòu)。
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  • 濕法刻蝕是什么意思
    濕法刻蝕是一種利用化學(xué)溶液對材料進(jìn)行選擇性去除的技術(shù)。具有優(yōu)良的選擇性，能夠精確地控制刻蝕過程，只對目標(biāo)材料進(jìn)行刻蝕，而不會損壞下層材料。
  • 什么是原子層刻蝕（ALE）？
    學(xué)員問：聽說過ALD，但是很少聽過ALE，麻煩講解下ALE的原理ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應(yīng)，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個循環(huán)只刻蝕一層原子。
  • 射頻電源的頻率對刻蝕有什么影響？
    學(xué)員問：干法刻蝕中，射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果都有哪些影響？什么是RF的功率與頻率？RF功率（RF Power）,是指射頻電源提供給等離子體系統(tǒng)的能量大小，用于等離子體的產(chǎn)生和穩(wěn)定,通常以瓦特（W）為單位。RF頻率（RF Frequency）,是指射頻電場的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。
  • 晶圓刻蝕工藝中的Qtime管控
    Qtime管控（Queue Time Control）是半導(dǎo)體制造過程中一個重要的和效率管理環(huán)節(jié)，尤其在刻蝕工藝（ETCH）中顯得尤為重要。
    1.5萬
    2024/12/10
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  • SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理
    學(xué)員問：干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為：?SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g)CxFy是來自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學(xué)刻蝕。
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  • 刻蝕角度與ICP-RIE射頻功率的關(guān)系？
    學(xué)員問：用ICP-RIE刻蝕接觸孔工藝中中，側(cè)壁的角度與射頻功率關(guān)系大不大？如何通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)節(jié)側(cè)壁角度？什么是刻蝕的側(cè)壁角度？
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  • 干法刻蝕的原理、工藝流程、評價參數(shù)及應(yīng)用
    RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。
    1.2萬
    2024/09/29
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  • 面試 | 光刻工藝,晶圓制造,CMP,PIE工程師面試問題合集
    本篇匯集了關(guān)于光刻工藝、晶圓制造相關(guān)崗位，以及FPGA工程師面試時的常見問題。且在持續(xù)更新中……? 切記收藏哦！
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  • 刻蝕工藝面試小結(jié)
    刻蝕工藝的基本原理：刻蝕是通過物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法去除材料的一部分，通常是在曝光、顯影之后，將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到基底材料上的過程。刻蝕可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕通過等離子體或離子束去除材料，而濕法刻蝕使用化學(xué)溶液進(jìn)行材料的選擇性去除。
  • 晶圓制造刻蝕工藝面試常見問題
    請解釋刻蝕工藝的基本原理以及在半導(dǎo)體制造中的重要性。在選擇刻蝕工藝時，如何確定是使用干法刻蝕還是濕法刻蝕？請描述RIE（反應(yīng)離子刻蝕）工藝的工作原理和應(yīng)用場景。
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  • 干法刻蝕工藝中DC自偏壓的作用？
    學(xué)員問：DC自偏壓是如何產(chǎn)生的？有什么作用？如何測量？
  • 為刻蝕終點(diǎn)探測進(jìn)行原位測量
    介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測有助于最大限度地減少刻蝕速率波動的影響。 刻蝕終點(diǎn)探測需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測量結(jié)果或閾值時，可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如
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  • 薄膜太陽電池邊緣刻蝕，看瑞豐恒高功率紫外激光器的
    傳統(tǒng)的邊緣刻蝕技術(shù)往往面臨著精度不高、能耗大、工藝周期長等諸多問題。而瑞豐恒高功率紫外激光器，作為一種創(chuàng)新的切割工具，以其在薄膜太陽電池邊緣刻蝕中的卓越表現(xiàn)而備受矚目。首先，精準(zhǔn)切割能力。其獨(dú)特的短脈沖寬度和高能量密度，能夠精確掌握對薄膜太陽電池邊緣的切割過程。通過使用這一先進(jìn)的激光工具，操作者可以輕松實(shí)現(xiàn)高度精細(xì)的邊緣刻蝕，確保薄膜表面的一致性和平整度，從而提高整體光吸收效率。
    薄膜太陽電池邊緣刻蝕，看瑞豐恒高功率紫外激光器的
  • 科研前線 | 刻蝕深淺知否？IBM工藝研發(fā)新成果
    IBM工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過先進(jìn)算法與機(jī)器學(xué)習(xí)結(jié)合傳統(tǒng)儀器測量發(fā)放，實(shí)現(xiàn)不通過對整個光學(xué)模型解析的計(jì)算求解路徑，相關(guān)研究成果先行刊載于IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing。
  • 智能刻蝕帶來突破性的生產(chǎn)力提升
    增加電路密度而不必移動到新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢使得垂直擴(kuò)展成為半導(dǎo)體行業(yè)的強(qiáng)大驅(qū)動力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。

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