刻蝕工藝

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把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。收起

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  • 什么是晶邊刻蝕（Bevel Etch）工藝？
    在介紹Bevel Etch工藝前，先簡(jiǎn)單介紹薄膜工藝：化學(xué)氣相沉積（Chemical vapor deposition，CVD）是通過(guò)氣體混合的化學(xué)反 應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被加熱起來(lái)向反 應(yīng)系統(tǒng)提供附加能量。當(dāng)化合物在反應(yīng)腔中混合并進(jìn)行反應(yīng)時(shí)，就會(huì)發(fā)生化學(xué)氣相沉積過(guò)程。原子或分子會(huì)沉積在硅片表面成膜，下圖展示了化學(xué)氣相成膜過(guò)程。
  • 原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）詳解
    原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù)，其特點(diǎn)是以單原子層為單位，逐步去除材料表面，從而實(shí)現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過(guò)程。它與 ALD（原子層沉積）相對(duì)，一個(gè)是逐層沉積材料，一個(gè)是逐層去除材料。
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  • 半導(dǎo)體濕法刻蝕有多少工藝要求
    半導(dǎo)體濕法刻蝕工藝要求涉及多個(gè)方面，那么想要大家一口氣說(shuō)完肯定不科學(xué)。為了讓大家系統(tǒng)充分的了解與明白，我們給大家準(zhǔn)備 下面的詳細(xì)資料解釋：
  • 等離子體刻蝕和濕法刻蝕的區(qū)別
    等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過(guò)程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來(lái)去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過(guò)程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。
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  • 后段刻蝕工藝（BEOL ETCH）詳解
    “后段刻蝕工藝（Back-End of Line ETCH，簡(jiǎn)稱BEOL ETCH）”作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié)，其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。BEOL是指從金屬互連開(kāi)始的晶圓制造階段，主要包括金屬布線、鈍化層沉積及相關(guān)圖形刻蝕。BEOL ETCH是針對(duì)這些材料和結(jié)構(gòu)的精確圖形化過(guò)程，用以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線、過(guò)孔（Via）等功能結(jié)構(gòu)。
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  • 濕法刻蝕是什么意思
    濕法刻蝕是一種利用化學(xué)溶液對(duì)材料進(jìn)行選擇性去除的技術(shù)。具有優(yōu)良的選擇性，能夠精確地控制刻蝕過(guò)程，只對(duì)目標(biāo)材料進(jìn)行刻蝕，而不會(huì)損壞下層材料。
  • 什么是原子層刻蝕（ALE）？
    學(xué)員問(wèn)：聽(tīng)說(shuō)過(guò)ALD，但是很少聽(tīng)過(guò)ALE，麻煩講解下ALE的原理ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)的，均是自限性反應(yīng)，一個(gè)是沉積一個(gè)是刻蝕。ALD是每個(gè)循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個(gè)循環(huán)只刻蝕一層原子。
  • 射頻電源的頻率對(duì)刻蝕有什么影響？
    學(xué)員問(wèn)：干法刻蝕中，射頻電源的功率與頻率對(duì)刻蝕結(jié)果都有哪些影響？什么是RF的功率與頻率？RF功率（RF Power）,是指射頻電源提供給等離子體系統(tǒng)的能量大小，用于等離子體的產(chǎn)生和穩(wěn)定,通常以瓦特（W）為單位。RF頻率（RF Frequency）,是指射頻電場(chǎng)的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。
  • 晶圓刻蝕工藝中的Qtime管控
    Qtime管控（Queue Time Control）是半導(dǎo)體制造過(guò)程中一個(gè)重要的和效率管理環(huán)節(jié)，尤其在刻蝕工藝（ETCH）中顯得尤為重要。
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    2024/12/10
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  • SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理
    學(xué)員問(wèn)：干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫(xiě)？刻蝕的過(guò)程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為：?SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g)CxFy是來(lái)自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學(xué)刻蝕。
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  • 刻蝕角度與ICP-RIE射頻功率的關(guān)系？
    學(xué)員問(wèn)：用ICP-RIE刻蝕接觸孔工藝中中，側(cè)壁的角度與射頻功率關(guān)系大不大？如何通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)節(jié)側(cè)壁角度？什么是刻蝕的側(cè)壁角度？
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  • 干法刻蝕的原理、工藝流程、評(píng)價(jià)參數(shù)及應(yīng)用
    RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。
    1.2萬(wàn)
    2024/09/29
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  • 面試 | 光刻工藝,晶圓制造,CMP,PIE工程師面試問(wèn)題合集
    本篇匯集了關(guān)于光刻工藝、晶圓制造相關(guān)崗位，以及FPGA工程師面試時(shí)的常見(jiàn)問(wèn)題。且在持續(xù)更新中……? 切記收藏哦！
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  • 刻蝕工藝面試小結(jié)
    刻蝕工藝的基本原理：刻蝕是通過(guò)物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法去除材料的一部分，通常是在曝光、顯影之后，將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到基底材料上的過(guò)程?？涛g可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕通過(guò)等離子體或離子束去除材料，而濕法刻蝕使用化學(xué)溶液進(jìn)行材料的選擇性去除。
  • 晶圓制造刻蝕工藝面試常見(jiàn)問(wèn)題
    請(qǐng)解釋刻蝕工藝的基本原理以及在半導(dǎo)體制造中的重要性。在選擇刻蝕工藝時(shí)，如何確定是使用干法刻蝕還是濕法刻蝕？請(qǐng)描述RIE（反應(yīng)離子刻蝕）工藝的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景。
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  • 干法刻蝕工藝中DC自偏壓的作用？
    學(xué)員問(wèn)：DC自偏壓是如何產(chǎn)生的？有什么作用？如何測(cè)量？
  • PCB常見(jiàn)的蝕刻方式有哪些
    PCB（Printed Circuit Board，印刷電路板）的常見(jiàn)蝕刻方式包括以下幾種： 化學(xué)蝕刻：化學(xué)蝕刻是最常見(jiàn)的 PCB 蝕刻方式。通過(guò)將 PCB 放入腐蝕劑中（如氯化鐵溶液），腐蝕掉未被光刻膜保護(hù)的銅層，從而形成所需的導(dǎo)線圖案。 干蝕刻：干蝕刻是使用等離子體或激光切割 PCB 板材，去除不需要的銅層的過(guò)程。這種方法通常速度更快，但也更昂貴。 激光蝕刻：激光蝕刻是使用激光束直接蝕刻 PC
  • 刻蝕工藝
    刻蝕工藝是一種重要的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)器件制造、集成電路生產(chǎn)等領(lǐng)域。通過(guò)控制化學(xué)溶液或等離子體對(duì)材料表面的侵蝕或剝離，實(shí)現(xiàn)對(duì)微細(xì)結(jié)構(gòu)的加工和制備?？涛g工藝在現(xiàn)代科技和工程中扮演著至關(guān)重要的角色，對(duì)微電子器件、傳感器、光學(xué)元件等的制造起著關(guān)鍵作用。
  • 一文介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、評(píng)價(jià)參數(shù)及應(yīng)用
    干法刻蝕是一種常見(jiàn)的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、集成電路生產(chǎn)、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造等領(lǐng)域。本文將介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、重要評(píng)價(jià)參數(shù)以及在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。
  • RIE干法刻蝕的原理、工藝流程、評(píng)價(jià)參數(shù)及應(yīng)用
    RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術(shù)，通過(guò)等離子體中的活性物質(zhì)對(duì)材料表面進(jìn)行選擇性刻蝕，以達(dá)到精確移除材料的目的。

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