芯片測(cè)試

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芯片測(cè)試，設(shè)計(jì)初期系統(tǒng)級(jí)芯片測(cè)試。 SoC的基礎(chǔ)是深亞微米工藝，因此，對(duì)Soc器件的測(cè)試需要采用全新的方法。由于每個(gè)功能元件都有其自身的測(cè)試要求，設(shè)計(jì)工程師必須在設(shè)計(jì)初期就做出測(cè)試規(guī)劃。

芯片測(cè)試，設(shè)計(jì)初期系統(tǒng)級(jí)芯片測(cè)試。 SoC的基礎(chǔ)是深亞微米工藝，因此，對(duì)Soc器件的測(cè)試需要采用全新的方法。由于每個(gè)功能元件都有其自身的測(cè)試要求，設(shè)計(jì)工程師必須在設(shè)計(jì)初期就做出測(cè)試規(guī)劃。收起

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  • 集成電路制造的質(zhì)量管控鐵三角：CP、FT 與 WAT 測(cè)試解析
    在集成電路制造的復(fù)雜流程中，CP（Chip Probing）測(cè)試、FT（Final Test）測(cè)試和 WAT（Wafer Acceptance Test）測(cè)試構(gòu)成了質(zhì)量管控的關(guān)鍵體系。這三大測(cè)試環(huán)節(jié)分別作用于芯片生產(chǎn)的不同階段，擁有獨(dú)特的測(cè)試目標(biāo)與對(duì)象，如同精密儀器的不同部件，共同保障著芯片產(chǎn)品的可靠性與穩(wěn)定性。
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  • 一文介紹半導(dǎo)體芯片各類測(cè)試
    半導(dǎo)體芯片測(cè)試是指對(duì)芯片在制造和封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行的，為檢查其電氣特性、功能和性能等進(jìn)行的驗(yàn)證，目的是判斷其是否符合設(shè)計(jì)要求。集成電路測(cè)試分為三部分，包括芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造、封裝環(huán)節(jié)的測(cè)試，這3部分測(cè)試涵蓋了芯片的整個(gè)生命過程。
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  • 全國(guó)幾萬人的芯片測(cè)試工程師，如何養(yǎng)成？
    本期話題：?20年圍繞半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域深耕細(xì)作；豐富的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，為測(cè)試行業(yè)不斷輸送人才；國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的差距與發(fā)展方向。
  • 芯片測(cè)試中的Trim（微調(diào)）
    在集成電路(IC)的測(cè)試過程中，Trim（微調(diào)）是指通過對(duì)芯片內(nèi)部某些參數(shù)（如電壓、電流、頻率等）的調(diào)整，使其達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)格或性能要求的過程。由于現(xiàn)代芯片制造工藝中，隨著尺寸越來越小、集成度越來越高，芯片的各個(gè)參數(shù)存在一定的偏差，因此Trim操作能夠提高良率并優(yōu)化芯片性能，確保最終產(chǎn)品滿足高質(zhì)量要求。
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  • 模擬器件測(cè)試概述、測(cè)試機(jī)組成及發(fā)展趨勢(shì)
    器件的測(cè)試在集成電路（IC）行業(yè)中扮演著極其關(guān)鍵的角色。它需要非常精確地生成和測(cè)量電信號(hào)，尤其是微伏（μV）級(jí)電壓和納安（nA級(jí)電流。由于模擬器件相較于數(shù)字電路對(duì)信號(hào)波動(dòng)更加敏感，因此，測(cè)試的精確度要求更高。
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  • 如何理解芯片測(cè)試中的DUT？
    理解并深入掌握DUT（Device Under Test，被測(cè)器件）在集成電路測(cè)試中的概念是非常關(guān)鍵的，因?yàn)镈UT是整個(gè)測(cè)試過程中直接與ATE（自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備）交互的對(duì)象。
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  • 芯片測(cè)試程序
    測(cè)試程序，即被ATE（Automatic Test Equipment，自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）識(shí)別和執(zhí)行的指令集，是集成電路測(cè)試的核心。測(cè)試程序的主要功能是指引ATE在測(cè)試中如何與被測(cè)器件（DUT）交互，具體包括如何對(duì)DUT施加不同的輸入激勵(lì)，如何測(cè)量其響應(yīng)信號(hào)，以及將測(cè)量結(jié)果與設(shè)定的門限值（Limit）進(jìn)行比較，最終判定測(cè)試結(jié)果為“通過”（Pass）還是“失效”（Fail）。
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  • Mbist仿真初探
    Mbist 方法是目前大容量存儲(chǔ)器測(cè)試的主流技術(shù)，該技術(shù)利用芯片內(nèi)部專門設(shè)計(jì)的BIST 電路進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試，能夠?qū)η度胧酱鎯?chǔ)器這種具有復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的嵌入式模塊進(jìn)行全面的測(cè)試。MBIST 電路將產(chǎn)生測(cè)試向量的電路模塊以及檢測(cè)測(cè)試結(jié)果的比較模塊都置于芯片的內(nèi)部，在測(cè)試完成后，將測(cè)試的結(jié)果通過芯片的測(cè)試引腳送出到芯片的外部。
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  • 深耕芯片檢測(cè)廿載，服務(wù)客戶超千家，他為“中國(guó)芯”保駕護(hù)航
    談起創(chuàng)業(yè)，聚躍檢測(cè)創(chuàng)始人尚躍說得最多的，不是公司高壁壘的尖端技術(shù)，而是企業(yè)文化和社會(huì)責(zé)任。近日，張通社采訪了這位80后創(chuàng)業(yè)者?！拔以趧?chuàng)業(yè)路上遇到了很多貴人，得到了很多幫助，一直心存感恩。如今公司正在蓬勃發(fā)展，我也希望能夠承擔(dān)更多責(zé)任回饋社會(huì)。”他對(duì)員工情同手足，“聚賢納才，躍然而上”是他治理公司的理念；他立志“讓中國(guó)沒有難測(cè)的芯片”，希望用自己的專業(yè)技術(shù)，將“中國(guó)芯”打造成“全球芯”。
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  • 復(fù)旦校友創(chuàng)業(yè)，扎根張江13年，造出國(guó)產(chǎn)芯片測(cè)試機(jī)
    在上海張江，有這樣一家企業(yè)：兩位測(cè)試?yán)媳鴰ьI(lǐng)團(tuán)隊(duì)默默耕耘，創(chuàng)業(yè)13年來，逐漸成長(zhǎng)為一家國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，已服務(wù)過多家半導(dǎo)體龍頭公司，包括展銳、晶晨、華天、長(zhǎng)電、甬矽、偉測(cè)等，團(tuán)隊(duì)規(guī)模達(dá)350人，遍布上海、南通、無錫、韓國(guó)、馬來西亞，并在最近5年內(nèi)獲得了4輪融資。今年4月，她又在眾多創(chuàng)業(yè)公司中脫穎而出，榮獲“2023年度浦東新區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)20強(qiáng)”。
    復(fù)旦校友創(chuàng)業(yè)，扎根張江13年，造出國(guó)產(chǎn)芯片測(cè)試機(jī)
  • 晶圓測(cè)試與芯片測(cè)試有什么不同？
    從測(cè)試作業(yè)的精細(xì)程度和作業(yè)用人數(shù)量看，晶圓測(cè)試（CP）屬于“晶圓級(jí)”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對(duì)測(cè)試作業(yè)的潔凈等級(jí)、作業(yè)的精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)的測(cè)試廠商通過精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開與其他對(duì)手的差距。
    晶圓測(cè)試與芯片測(cè)試有什么不同？
  • 芯片成品測(cè)試（FT）的技術(shù)難點(diǎn)
    芯片成品測(cè)試（FT）的技術(shù)難點(diǎn)主要體現(xiàn)在測(cè)試工藝流程、測(cè)試方案開發(fā)方面：1、測(cè)試工藝流程：大功率成品測(cè)試溫度管控要求；數(shù)據(jù)及時(shí)監(jiān)控及混料防控；低溫測(cè)試溫差與防結(jié)霜控制；靜電防護(hù)與控制。2、測(cè)試方案開發(fā)：測(cè)試程序開發(fā)要求多、設(shè)計(jì)難度大；測(cè)試板方案設(shè)計(jì)難度高；超大、超小尺寸產(chǎn)品治具設(shè)計(jì)要求。
  • 【測(cè)試案例分享】隔離接口芯片失真測(cè)試
    背景 隔離是一種電路設(shè)計(jì)技術(shù)，允許兩個(gè)電路進(jìn)行通信，可消除在它們之間流動(dòng)的任何不需要的直流電流和交流干擾電流。隔離常用于保護(hù)操作人員和低壓電路免受高電壓影響，或防止通信子系統(tǒng)之間的地電位差，或改善系統(tǒng)的抗噪性能。常見的隔離方式包括光耦，磁隔和容隔。 圖 1 隔離芯片是信號(hào)鏈中非常重要的一環(huán) 隔離芯片的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括：電動(dòng)汽車 (BMS, OBC, 電驅(qū)等 )，電機(jī)控制，工業(yè)自動(dòng)化，開關(guān)電源，光伏
    【測(cè)試案例分享】隔離接口芯片失真測(cè)試
  • 芯片成品測(cè)試（FT）的技術(shù)難點(diǎn)分析
    芯片成品測(cè)試（FT）的技術(shù)難點(diǎn)主要體現(xiàn)在測(cè)試工藝流程、測(cè)試方案開發(fā)方面：1、測(cè)試工藝流程：大功率成品測(cè)試溫度管控要求；數(shù)據(jù)及時(shí)監(jiān)控及混料防控；低溫測(cè)試溫差與防結(jié)霜控制；靜電防護(hù)與控制。2、測(cè)試方案開發(fā)：測(cè)試程序開發(fā)要求多、設(shè)計(jì)難度大；測(cè)試板方案設(shè)計(jì)難度高；超大、超小尺寸產(chǎn)品治具設(shè)計(jì)要求。
  • 晶圓測(cè)試與芯片測(cè)試有什么區(qū)別
    從測(cè)試作業(yè)的精細(xì)程度和作業(yè)用人數(shù)量看，晶圓測(cè)試（CP）屬于“晶圓級(jí)”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，對(duì)測(cè)試作業(yè)的潔凈等級(jí)、作業(yè)的精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)的分析能力等要求較高，因此技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)的測(cè)試廠商通過精益生產(chǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的效益，拉開與其他對(duì)手的差距。

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