• 產(chǎn)業(yè)丨光子學(xué)賦能AI規(guī)?；l(fā)展，光芯片成為核心一環(huán)
    電子微芯片是現(xiàn)代世界的核心，它們廣泛存在于我們的筆記本電腦、智能手機(jī)、汽車(chē)和家用電器中。多年來(lái)，制造商一直在努力提升芯片的功能性能和能效，從而增強(qiáng)了我們電子設(shè)備的性能。然而，由于芯片制造成本和復(fù)雜性的增加，以及物理定律所設(shè)定的性能限制，這一趨勢(shì)正逐漸減弱。
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    21小時(shí)前
    產(chǎn)業(yè)丨光子學(xué)賦能AI規(guī)?；l(fā)展，光芯片成為核心一環(huán)
  • 英飛凌啟動(dòng)公司25周年傳播項(xiàng)目
    為慶祝公司25周年，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）啟動(dòng)了一項(xiàng)全球整合傳播活動(dòng)，旨在彰顯半導(dǎo)體技術(shù)的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)價(jià)值，以及英飛凌在推動(dòng)低碳化和數(shù)字化方面做出的貢獻(xiàn)。這場(chǎng)傳播活動(dòng)的核心主旨是：英飛凌的產(chǎn)品和解決方案對(duì)我們每個(gè)人的日常生活都至關(guān)重要?；顒?dòng)內(nèi)容將圍繞“Matters to me”這一主題展開(kāi)一系列的情感講述。 英飛凌25周年“Matters to
    英飛凌啟動(dòng)公司25周年傳播項(xiàng)目
  • 晶振封裝技術(shù)革命 陶瓷VS金屬封裝如何影響設(shè)備可靠性
    在電子設(shè)備向小型化、高性能化發(fā)展的浪潮中，晶振作為核心頻率元件，其性能不僅取決于內(nèi)部晶體和電路設(shè)計(jì)，封裝技術(shù)同樣扮演著關(guān)鍵角色。封裝材料的選擇直接影響晶振的穩(wěn)定性、抗干擾能力以及使用壽命，進(jìn)而決定設(shè)備整體的可靠性。陶瓷、金屬和塑料是當(dāng)前晶振封裝的主要材料，它們各自具備獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，在不同應(yīng)用場(chǎng)景下展現(xiàn)出不同的可靠性表現(xiàn)。本文將深入探討這些封裝材料對(duì)晶振穩(wěn)定性的影響，并結(jié)合回流焊測(cè)試與氣密性檢測(cè)案
  • 助力更先進(jìn)的鋰離子電池設(shè)計(jì)：肖特推出無(wú)鉛三端保險(xiǎn)絲
    先進(jìn)電池技術(shù)專用材料和部件的全球領(lǐng)導(dǎo)者肖特集團(tuán)推出無(wú)鉛* SEFUSE? 三端保險(xiǎn)絲，專為面向未來(lái)的鋰離子電池應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 肖特?zé)o鉛* SEFUSE? 三端保險(xiǎn)絲，實(shí)現(xiàn)更多面向未來(lái)的電池解決方案。 來(lái)源：肖特 鋰離子電池為各種設(shè)備供電，從汽車(chē)、可充電電子設(shè)備到家用電器和電動(dòng)工具。在鋰離子電池組中，三端保險(xiǎn)絲在電池管理系統(tǒng)中提供二次保護(hù)，防止可能造成損壞以及危險(xiǎn)的過(guò)流和過(guò)充電。同時(shí)，使用表面貼裝設(shè)計(jì)
    助力更先進(jìn)的鋰離子電池設(shè)計(jì)：肖特推出無(wú)鉛三端保險(xiǎn)絲
  • Microchip推出MEC175xB系列器件，為嵌入式控制器引入硬件抗量子攻擊能力
    受密碼學(xué)研究的進(jìn)步及更強(qiáng)安全措施需求的推動(dòng)，美國(guó)國(guó)家安全局（NSA）推出了《商用國(guó)家安全算法套件2.0》（CNSA 2.0），旨在建立一套抗量子計(jì)算破解的密碼標(biāo)準(zhǔn)。NSA敦促數(shù)據(jù)中心和計(jì)算市場(chǎng)在未來(lái)兩年內(nèi)為后量子時(shí)代加密做好準(zhǔn)備。為幫助系統(tǒng)架構(gòu)師應(yīng)對(duì)不斷演化的安全需求，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）開(kāi)發(fā)了MEC175xB嵌入式控制器，支持嵌入式不可變的后量子加密
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  • 破局智算瓶頸 400G光模塊如何重構(gòu)AI時(shí)代的網(wǎng)絡(luò)神經(jīng)脈絡(luò)
    隨著5G、AI和云計(jì)算技術(shù)的爆發(fā)式增長(zhǎng)，400G光模塊作為新一代高速光通信的核心組件，正在重構(gòu)數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。本文從技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、封裝形態(tài)、傳輸性能等維度全面解析400G光模塊的突破性創(chuàng)新，重點(diǎn)闡述其高密度、低時(shí)延、低功耗的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。通過(guò)對(duì)比QSFP-DD與OSFP封裝特性，結(jié)合實(shí)際案例分析其在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算及人工智能訓(xùn)練集群中的部署價(jià)值，為企業(yè)網(wǎng)絡(luò)升級(jí)提供專業(yè)決策參考。
  • 英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹(shù)立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺(tái)DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)
    隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強(qiáng)大，對(duì)板級(jí)電源的要求也越來(lái)越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對(duì)于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI
    英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹(shù)立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺(tái)DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)
  • 如何設(shè)計(jì)高可靠性的穩(wěn)壓電路 MDD穩(wěn)壓二極管的典型應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)
    在電子產(chǎn)品的小型化、高效率、長(zhǎng)壽命趨勢(shì)日益明顯的今天，穩(wěn)壓電路的可靠性直接關(guān)系到整機(jī)性能和產(chǎn)品穩(wěn)定性。作為現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（FAE），我們常常會(huì)遇到客戶在電路設(shè)計(jì)中對(duì)穩(wěn)壓方案既要求簡(jiǎn)單，又要求高可靠性。在這類(lèi)需求中，MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、響應(yīng)快速等優(yōu)點(diǎn)，成為構(gòu)建高可靠性穩(wěn)壓電路的理想選擇。 一、穩(wěn)壓二極管原理概述 穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)，其特性是電壓基
  • 確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
    作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē) (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。 第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。 與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC
    確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
  • 并聯(lián)還是串聯(lián) MDD穩(wěn)壓二極管多顆配置的使用技巧與注意事項(xiàng)
    在電子系統(tǒng)中，當(dāng)單顆MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）無(wú)法滿足電壓、電流或功率要求時(shí)，多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)使用便成為一種常見(jiàn)解決方案。然而，多顆配置雖然看似簡(jiǎn)單，實(shí)則隱藏著諸多設(shè)計(jì)陷阱。如果未加以合理匹配或保護(hù)，反而可能引起電壓不穩(wěn)、熱失控、器件損壞等問(wèn)題。作為現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（FAE），我們必須深刻理解其工作機(jī)制，指導(dǎo)客戶合理使用多顆Zener配置，提升電路可靠性。 一、串聯(lián)使用：提升穩(wěn)壓
  • 防雷術(shù)語(yǔ)深度剖析 為企業(yè)防雷改造排憂解難
    在企業(yè)籌備防雷改造的過(guò)程中，方案里的專業(yè)術(shù)語(yǔ)往往讓人摸不著頭腦。下面就帶大家深入了解這些術(shù)語(yǔ)，為防雷改造工作提供有力支持。 1.直擊雷：危險(xiǎn)的雷電“直擊”：雷電直接擊中建筑物的現(xiàn)象就是直擊雷，它所引發(fā)的電效應(yīng)、熱效應(yīng)和機(jī)械力，會(huì)對(duì)建筑物結(jié)構(gòu)和內(nèi)部設(shè)施造成極大破壞，如同一場(chǎng)“電氣災(zāi)難”降臨。 2.雷擊電磁脈沖（LEMP）：電子設(shè)備的潛在威脅：雷電瞬間強(qiáng)大電流會(huì)引起電磁場(chǎng)擾動(dòng)，形成雷擊電磁脈沖。它以傳
  • 凌科工業(yè)級(jí)連接器如何賦能電動(dòng)摩托車(chē)充電安全升級(jí)
    在新能源短途出行領(lǐng)域，電動(dòng)摩托車(chē)及電動(dòng)自行車(chē)憑借其便捷環(huán)保特性持續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)。隨著用戶對(duì)充電安全與設(shè)備耐用性需求的提升，連接器正成為保障充電系統(tǒng)可靠運(yùn)行的核心組件。凌科電氣推出的DH16系列工業(yè)級(jí)連接器，通過(guò)多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新為新能源交通工具構(gòu)建安全高效的充電解決方案。
  • 固晶錫膏如何征服高功率封裝 一文破解高密度封裝的散熱密碼
    固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計(jì)的錫基焊料，通過(guò)冶金結(jié)合實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接，對(duì)比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏，具備超高導(dǎo)熱（60-70W/m?K）、高強(qiáng)度（剪切強(qiáng)度40MPa+）、精密填充（間隙5-50μm）等優(yōu)勢(shì)。分高溫型（SnAgCu）、中溫型（SnBi）、高導(dǎo)型，適用于功率半導(dǎo)體、LED 顯示、汽車(chē)電子、先進(jìn)封裝等場(chǎng)景，解決高功率散熱、振動(dòng)耐受、精密間隙填充等難題。選型需結(jié)合芯片耐溫、間隙精度、環(huán)境要求，以金屬級(jí)連接提升器件可靠性與性能上限，成為高端封裝的關(guān)鍵材料。
  • 凌科電氣高壓連接器防觸手設(shè)計(jì)與安全性能解析
    高壓連接器作為大電流與高電壓傳輸?shù)暮诵慕M件，其安全性設(shè)計(jì)直接關(guān)乎人員生命與設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。在新能源、軌道交通等高危場(chǎng)景中，防觸手功能已成為連接器設(shè)計(jì)的強(qiáng)制性安全指標(biāo)。若忽視這一關(guān)鍵設(shè)計(jì)，將引發(fā)多重安全隱患。
  • 2025下半程，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)走向何方？
    近期，我國(guó)半導(dǎo)體上市公司一季度財(cái)報(bào)紛紛出爐，來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的相關(guān)企業(yè)表現(xiàn)各異，喜憂并存?？傮w而言，步入2025年下半場(chǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)將延續(xù)“技術(shù)突破+政策驅(qū)動(dòng)+需求分化”的發(fā)展主線。
    2025下半程，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)走向何方？
  • 三星汽車(chē)MLCC一級(jí)代理服務(wù)升級(jí)：技術(shù)支持+樣品+供應(yīng)鏈保障
    在汽車(chē)電子系統(tǒng)日益復(fù)雜的今天，高可靠性車(chē)規(guī)級(jí)電子元器件的選擇對(duì)汽車(chē)制造商和一級(jí)供應(yīng)商至關(guān)重要。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件分銷(xiāo)商，北京貞光科技有限公司憑借與三星電機(jī)的深度戰(zhàn)略合作關(guān)系，現(xiàn)全面升級(jí)三星車(chē)規(guī)電容一級(jí)代理服務(wù)體系，為客戶提供從技術(shù)支持、樣品申請(qǐng)到供應(yīng)鏈保障的全方位解決方案。 汽車(chē)電子化趨勢(shì)與車(chē)規(guī)電容需求分析 隨著新能源汽車(chē)和智能駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，車(chē)載電子系統(tǒng)的數(shù)量和復(fù)雜度顯著提升。據(jù)最新行
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    05/16 15:06
    三星汽車(chē)MLCC一級(jí)代理服務(wù)升級(jí)：技術(shù)支持+樣品+供應(yīng)鏈保障
  • 最新：全球光刻掩模板產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商匯總（76家）
    光刻行業(yè)是真火！不僅光刻機(jī)火、光刻膠火，連帶著光刻掩模版行業(yè)也跟著受人矚目。相關(guān)行業(yè)活動(dòng)也是層出不窮我不久前剛剛發(fā)布了一版光刻掩模版及配套材料的行業(yè)供應(yīng)商信息，點(diǎn)擊量不錯(cuò)。而且還有不少朋友給予我反饋，幫我修改了幾個(gè)錯(cuò)誤，還新增了一些供應(yīng)商信息
    最新：全球光刻掩模板產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商匯總（76家）
  • 為什么芯片制造既怕金又用金？
    金（Au），Gold，一方面，它是電性能極優(yōu)、化學(xué)性質(zhì)極穩(wěn)定的貴金屬，被廣泛應(yīng)用在芯片制程中；另一方面，它也是晶圓廠前段工藝中嚴(yán)禁引入的污染源，被列入高風(fēng)險(xiǎn)控制名單。
    為什么芯片制造既怕金又用金？
  • X-Ray，XRD，XRF，XPS有什么區(qū)別？
    學(xué)員問(wèn)：晶圓廠中，X射線可以應(yīng)用在X-Ray，XRD，XRF，XPS，這四種設(shè)備各有什么作用和區(qū)別嗎？X-Ray、XRD、XRF、XPS雖然它們都用 X 光源，但原理、檢測(cè)對(duì)象和應(yīng)用目的截然不同。
    X-Ray，XRD，XRF，XPS有什么區(qū)別？
  • MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解 功耗 電流與擊穿電壓如何權(quán)衡
    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件，廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過(guò)壓保護(hù)等場(chǎng)景。為了確保其在電路中的穩(wěn)定運(yùn)行與長(zhǎng)壽命，深入理解其關(guān)鍵極限參數(shù)——擊穿電壓（Vz）、穩(wěn)壓電流（Iz）與功耗能力（Pz）——顯得尤為重要。本文將從這三個(gè)核心參數(shù)出發(fā)，解析它們之間的相互關(guān)系及如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中進(jìn)行合理權(quán)衡與選型。 一、擊穿電壓Vz：決定穩(wěn)壓基準(zhǔn)的核心指標(biāo)

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