場效應管

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。收起

查看更多
  • 耗盡型場效應管
    耗盡型場效應管(Depletion-Mode MOSFET)是一種重要的半導體器件,與增強型場效應管相反,耗盡型場效應管在零柵極電壓下處于導通狀態(tài),需要施加負向柵極電壓來實現(xiàn)截止。本文將深入探討耗盡型場效應管的工作原理、特點、優(yōu)勢、應用。
  • MOS管擊穿
    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種常見的場效應管,廣泛用于電子器件和集成電路中。然而,在特定情況下,MOS管可能會發(fā)生擊穿現(xiàn)象,這會導致器件損壞和系統(tǒng)故障。本文將深入探討MOS管的擊穿現(xiàn)象,包括其定義、原因、類型、影響、防范方法以及相關工程應用。
  • 增強型場效應管
    增強型場效應管(Enhancement-Mode MOSFET)是一種常用的半導體器件,廣泛應用于電子電路中以實現(xiàn)功率放大、信號調節(jié)和開關控制等功能。相比于功率晶體管,增強型場效應管具有更低的驅動電壓、更小的輸入電流,以及更快的開關速度和更好的頻率響應。本文將深入介紹增強型場效應管的工作原理、結構特點、優(yōu)勢、應用范圍。

正在努力加載...